در ادامه مطلب می توانید صفحات ابتدایی این پایان نامه را بخوانید

دانشگاه آزاد اسلامی

واحد تهران جنوب

دانشکده تحصیلات تکمیلی

سمینار برای درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – الکترونیک

عنوان :

مطالعه مشخصه های الکتریکی DG-SOI MOSFETS

استاد راهنما :

دکتر مرتضی فتحی پور

نگارش :

فطمه کهنی خشکبیجاری

 
چکیده :
در این سمینار مشخصه هایDG-SOI MOSFETS   در جهت بهینه سازی عملکرد این
ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته می باشد . برای بهینه سازی از روش تغییر ابعاد
ترانزیستورها و کاهش ولتاژ تغذیه بهره گیری شده می باشد . مزایای چگونگی به کارگیری در
مدار و ساختار های مختلف افزاره ماسفت در گیتی سیلیکان برروی عایق 
DG-SOI MOSFETS مورد مطالعه قرار گرفته می باشد . ماسفت دو گیتی به عنوان افزاره
مناسب و ناحیه زیر آستانه به عنوان مناسب ترین ناحیه برای کاربردهای توان پایین
معرفی شده اند اثرات تغییر پارامترهای ساختاری برروی مشخصات الکتریکی افزاره
نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه با بهره گیری از شبیه سازی در نرم
افزار ISE-TCAD مورد مطالعه قرار گرفته می باشد . شبیه سازی های انجام شده نشان
می دهد که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن
موثر گیت می گردد در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره کاهش می یابد .این امر
ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر ضخامت بدنه می باشد .با کاهش طول
نواحی سورس و درین خازن های لبه ای کوچک می گردند و در نتیجه CG,EFF کاهش
می یابد . این در حالی می باشد که مشخصه ولتاژ جریان و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر
چندانی نمی کنند.
 
تعداد صفحه :57
قیمت : 14700 تومان

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   پایان نامه کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق : کنترل و تعیین موقعیت ماهواره

***

دسته‌ها: مهندسی برق

دیدگاهتان را بنویسید