اثر اندوکتانس­های خودی[1] و متقابل[2] بین بخش­های مختلف موجود در مدل متمرکز با بهره گیری از مدار مغناطیسی محاسبه خواهد گردید. ظرفیت­های خازنی موجود بین بخش­های مختلف که به دو نوع موازی و سری تقسیم می­گردند، با بهره گیری از فرمول­های ریاضی محاسبه شده­اند. هم­چنین تلفات موجود در هادی­های سیم­پیچ ترانسفورماتور و تلفات ناشی از هسته هم لحاظ می­گردد. البته با در نظر داشتن مدل که در یک رنج فرکانسی در نظر گرفته شده می باشد، اثرات پوستی[3] و مجاورت[4] هم در محاسبات مربوط به تلفات وارد مسئله خواهند گردید.

    اندوکتانس

این قسمت روابطی را برای محاسبه اندوکتانس­های خودی و متقابل بین هر بخش از مدل مربوط به ترانسفورماتور سه فاز را ارائه می­دهد. برای محاسبه اندوکتانس از ابعاد هسته ترانسفورماتور، تعداد دور­های سیم­پیچ­ها، پرمابیلیته موثر هسته[5] و اندوکتانس نشتی بهره گیری می­گردد.

برای محاسبه اندوکتانس از روابط حاکم مدار­های مغناطیسی و دوگان آن با المان­های الکتریکی بهره گیری می­گردد که در شکل ‏2‑1 نشان داده شده می باشد. معادله (‏3‑1) این ارتباط را اظهار می­کند. روابطی که در ادامه بدست می­آیند برای ترانسفورماتور از نوع سه ستونه می­باشد. رلوکتانس مربوط به ستون هسته ، رلوکتانس مربوط به یوغ و رلوکتانس مربوط به مسیر نشتی سیم­پیچ می­باشد.  طول متوسط ستون و  طول متوسط یوغ هسته می­باشد.

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   کنترل کننده فازی برای ربوت دنبال کننده دیوار تحلیل پایداری-دانلود پایان نامه
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده