میدان تشعشی آنتن میکرواستریپ را می توان با دو مدل جریان الکتریکی و جریان مغناطیسی به دست آورد. در مدل جریان الکتریکی، جریان از ارتباط زیر جهت محاسبه پترن تشعشعی راه دور به دست می آید.(Pozar, 1995; Lee et al., 1997; Garg et al., 2000)

(2-14)

همانطور که در شکل2-11 نظاره می گردد جریان الکتریکی برای مد (0و1) نشان داده شده می باشد.اگر زیر لایه را هوا در نظر بگیریم جهت محاسبه الگوی تشعشعی، می توان به گونه مستقیم از روش تئوری تصویر بهره گیری نمود. اگر زیر لایه را نا محدود در نظر بگیریم می توان از روش تقابل[1]  بهره گیری نمود.(Behara, 2005)در مدل جریان مغناطیسی، پچ توسط جریان سطحی مغناطیسی که بر روی محیط آن شارش می یابد جایگزین می گردد. جریان سطحی مغناطیسی از ارتباط زیر محاسبه می گردد.

 

شکل 2-11 : جریان الکتریکی مد (0و1) .(Gardiol, 1995)

 

(2-15)

در ارتباط فوق  میدان الکتریکی مدل حفره تشدید در لبه پچ و  بردار عمود بر سطح به سمت خارج سطح می باشد. شکل  2-12 جریان مغناطیسی را برای مد (0و1) نشان می دهد. پترن راه دور را می توان با تئوری تصویر یا تقابل به دست آورد.(Gardiol, 1995)  انتخاب نوع تئوری بستگی به این دارد که زیر لایه چگونه در نظرگرفته گردد. بیشینه مقدار میدان تشعشعی درx=0 و x=L نظاره می گردد. دو لبه غیر تشعشعی در پترن صفحه E و صفحه H تاثیر چندانی ندارند.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   طراحی نوسان‌ساز Cross-Coupled LC با نویز فاز کم:پایان نامه ارشد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده