مبحث مدل­سازی ترانسفورماتور قدرت از ابتدای قرن بیستم شروع گردید. در [39] نشان داد شده می باشد که به مقصود توزیع ولتاژ ضربه[1] در سراسر سیم­پیچ­ها، نیاز به مدل­سازی ترانسفورماتور می­باشد. در مرجع[40] اثر اندوکتانس خودی و متقابل و نشتی و ظرفیت­های­خازنی بین کویل­ها و بین سیم­پیچ با زمین در نظر گرفته شده می باشد. این مدل را می­توان در شکل ‏3‑1 نظاره نمود.

شکل ‏3‑1: اولین مدل ترانسفورماتور[40]

روش دیگر مدل سازی که در [41] ارائه شده می باشد، توسعه یک مقیاس از مدل هندسی هسته و سیم­پیچ ترانسفورماتور بود. مدل بر مبنای تعریف ترانسفورماتور قدرت بصورت اندوکتانس­های خودی و متقابل ساخته می­گردد. اگرچه این مدل نتوانست المان­های خازنی ترانسفورماتور را نشان دهد و نیازمند ورود ظرفیت­های­خازنی در میان ساختار سیم­پیچ­ها می­باشد.

تا سال 1970 مدل­سازی ترانسفورماتور به نقطه­ای مناسب از نظر کفایت رسید. اگرچه مدل­ها خطی بودند و بدون تلفات در نظر گرفته می­شدند.

در سال­هایی بین 1970 تا 1980 مقالات [42, 43] توسط Wilcox ارائه گردید که کاملا متفاوت از کارهای گذشته بود که در آن اثرات وابسته به فرکانس در ترانسفورماتور و تلفات هسته در نظر گرفته گردید.

مدل­سازی ترانسفورماتور هنوز هم به عنوان یک زمینه تحقیقاتی فعال در این دهه باقی مانده می باشد که مقالات زیادی در این زمینه چاپ گردیده می باشد.

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده