این مدل از ترکیب اندوکتانس­های خودی و متقابل، مقاومت و خازن به مقصود تعریف رفتار الکتریکی ساختار ترانسفورماتور ایجاد می­گردد. در این مدل براحتی می­توان اثرات غیرخطی و وابسته به فرکانس متناظر با هسته و سیم­پیچ­ها را در نظر گرفت. در این روش هر سیم­پیچ به چند بخش تقسیم می­گردد که تعداد این بخش­ها به اندازه دقت مدل­سازی بستگی دارد. در این مدل­سازی می توان یک یا چند دور و یا یک یا چند دیسک را به عنوان یک واحد متمرکز در نظر گرفت[3]. البته با افزایش تعداد بخش­ها بر حجم محاسبات افزوده خواهد گردید و به همین دلیل بایستی یک توازنی بین دقت و پیچیدگی ایجاد گردد. این مدل برای محاسبات ولتاژ و جریان شاخه بسیار مفید می­باشد. به دلیل تعریف فیزیکی ترانسفورماتور به صورت عناصر الکتریکی، هر تغییر در این عناصر که خود ناشی از خطاهای موجود در درون ترانسفورماتور می­باشد، تغییری در پاسخ ایجاد شده و در نتیجه این عدم انطباق وجود یک خطا را نشان می­دهد. از میان مدل­های فیزیکی مطرح شده، این مدل به عنوان مدل نهایی انتخاب شده می باشد زیرا که شرایط داخلی ترانسفورماتور را به خوبی نشان داده و تمامی اثرات مربوط به سیم­پیچ­ها و هسته را در آن وارد نموده و هم­چنین کار با آن راحت بوده و درک خوبی در زمینه خطایابی ترانسفورماتور به کاربر می­دهد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه ارشد:بررسی عملکرد و شبیه‏ سازی سیستم‏ های ناوبری CVOR و DVOR در کانال‏ های چند مسیری
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده