گرچه ویژگی مدل خط انتقال که در بخش قبل در مورد آن بحث گردید سادگی آن می باشد اما معایب بسیاری دارد. یکی از معایب آن این می باشد که تغییرات میدان در جهت لبه های تشعشع کننده را در نظر نمی گیرد. جهت غلبه بر این معایب مدل حفره تشدید بهره گیری می گردد. در ادامه در این زمینه مرور کلی خواهد گردید.

در این مدل، ناحیه داخلی زیر لایه دی الکتریک را به صورت کاواکی که توسط دیواره های الکتریکی در بالا و پایین آن محدود شده می باشد، در نظر می گیرند. اساس این فرض این می باشد که ارتفاع زیر لایه بسیار کوچک می باشد.(Pues et al., 1981)

به همین دلیل میدان در ناحیه داخلی در جهت z تغییر نمی کند و تنها در جهت عمود متغیر می باشد. پس، میدان الکتریکی تنها مولفه z دارد و میدان مغناطیسی مولفه x وy دارد. همانطور که در شکل 2-10  نظاره می گردد، هنگامی که پچ میکرو استریپ توان دار می گردد، توزیع جریان در سطوح فوقانی و تحتانی پچ و سطح زیرین صفحه زمین ایجاد می گردد. توزیع جریان توسط دو مکانیسم جاذبه و دافعه  کنترل می گردد.(Lo et al., 1979) مکانیسم جاذبه بین بارهای مخالف در قسمت زیرین پچ و صفحه زمین ایجاد می گردد. این امر سبب می گردد تمرکز بار در قسمت زیرین پچ حفظ گردد. مکانیسم دافعه بین بارهای موافق در قسمت تحتانی پچ ایجاد می گردد که باعث می گردد قسمتی از بار ها از قسمت زیرین پچ به قسمت فوقانی منتقل شوند. به دلیل این جابجایی، جریان در سطوح فوقانی و تحتانی شارش می یابد.

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه با موضوع:بدافزارهای موبایل

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده