در ادامه مطلب می توانید تکه هایی از ابتدای این پایان نامه را بخوانید

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد
مهندسی برق  الکترونیک
عنوان :
نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی گردد

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
(ممکن می باشد هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود اما در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل می باشد)
چکیده:
خصوصیات ویژه نانوتیوبهای کربنی در حوزه الکترونیک باعث گسترش کاربرد آنها در زمینه های متفاوت شده می باشد. در این پروژه به مطالعه کاربرد نانوتیوبهای کربنی در ساخت ترانزیستورهای FET خواهیم پرداخت . در آغاز ساختارهای متفاوت نانوتیوبها ، چگونگی تشکیل و خصوصیات هر یک از آنها مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.
ما بر روی ترانزیستورهای FET  ساخته شده با بهره گیری از نانوتیوبهای کربنی (CNFET) و مدلسازی آنها متمرکز خواهیم گردید . این ترانزیستورها بدلیل امکان ساخت در محدوده ابعادی نانو ، جریان دهی بالستیک ( یا شبه بالستیک ) دارند . پس جهت مدلسازی از تئوری ترانزیستورهای با لستیک بهره گیری شده می باشد . در این پروژه هدف از مدلسازی این نوع ترانزیستور ها کاربرد آن در شبیه سازی مدارهای دیجیتال بوده و با در نظر داشتن کاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازیهایی انجام شده تا در نهایت مدل ساده ای ارائه گردد که توانایی به کارگیری توسط نرم افزار شبیه سازی مداری (HSPICE) را داشته باشد . مدل ارائه شده با بهره گیری از این نرم  افزار (بصورت یک زیر – مدار ) و به مقصود شبیه سازی مدارهای دیجیتال و گیتهای منطقی بکار گرفته شده می باشد.
مقدمه:
با رسیدن تکنولوژی سیلیکونی به مرزهای محدودیت ساخت مانند معضلات جریان نشتی و تغییرات شدید پارامترهای ترانزیستورهای مشابه در ابعاد نانومتری و نیاز به جایگزینی مواد جدید ، چند ساختار جدید برای یافتن بهترین جایگزین ترانزیستورهای FET  مورد مطالعه قرار گرفته می باشد .تحقیقات اخیر در نانوالکترونیک پتانسیل بالای ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی جهت جایگزینی بجای ترانزیستورهای MOSFET کنونی را نشان داده اند.
نانوتیوبهای کربنی ساختارهایی استوانه ای از اتمهای کربن هستند که از پیچش صفحات گرافین تشکیل می شوند. قطر نانومتری، استحکام مکانیکی و ضریب هدایت گرم ا یی بالا و پیوندهای کوولانسی اشباع شده، این تیوبها را به ساختارهای بسیار مورد توجه در صنایع گوناگون تغییر داده اس ت . مانند در صنعت الکترونیک و ساخت ترانزیستور ، چنین گویا که این نانوتیوبها بتوانند بسیاری از معضلات پیش روی این صنعت در سالهای آینده را رفع کنند.
ترانزیستورهای CNFET به روشهای گوناگون و مشخصه های متفاوت ساخته شده اند . بسیاری از این ترانزیستورها تنها از یک نانوتیوب کربنی نیمه هادی به عنوان کانال بهره می برند . در سالهای اخیر و با توسعه تکنولوژی نانو و ابزارهای آن بهره گیری از چند نانوتیوب در زیر یک گیت نیز مقدور گردیده می باشد . ترانزیستورهای ساخته شده مشخصه های قابل توجهی از خود نشان داده اند و روز به روز بر امکان و احتمال جایگزینی تکنولوژی سیلیکونی با تکنولوژی آمیخته با نانو افزوده می گردد.
 مانند برتری های ترانزیستور CNFET سرعت بالا و سطح اشغال شده بسیار کم آن می باشد . این مزایا در آینده موجب ساخت حافظه ها و مدارهای دیجیتال با سرعت بالا و ابعاد کوچک خواهند گردید . اما در اینجا نیز لازم می باشد تا همانند تکنولوژی کنونی جهت پیش بینی عملکرد ترانزیستورها مدلی ارائه گردد که بتواند با در نظر داشتن شرایط فیزیکی قطعه توصیف صحیحی از رفتار آن در مدار های مختلف داشته باشد . سادگی، سرعت و قابلیت بکارگیری مدل توسط شبیه سازهای مداری مانند موردها مهمی هستند که بایستی در مدلسازی قطعه مدنظر قرار گیرند.
تعداد صفحه : 96
قیمت : 14700 تومان

 

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   سمینار کارشناسی ارشد رشته برق:بررسی انواع روش های مدل سازی و کنترل رباط ها با مفاصل انعطاف پذیرFJR

***

—-

دسته‌ها: مهندسی برق

دیدگاهتان را بنویسید