نویز یا فلیکر[1] یکی دیگر از منابع مهم نویز در نوسان‌سازهای CMOS میباشد که از آن با نام نویز لرزان ترانزیستورهای ماسفت نیز یاد میگردد و به صورت یک منبع ولتاژ سری با گیت مدل میگردد. طیف نویز به صورت معکوس با فرکانس ارتباط دارد و این باعث می گردد تنها در فرکانسهای پایین و فرکانسهای حوالی حامل دارای مقدار قابل ملاحظه باشد.
منشا این نویز در ترانزیستور MOS را نیز میتوان بدین شکل تبیین داد ]3[: در محل اتصال اکسید گیت و زیربنای[2] سیلیکانی در ماسفت معمولاً تعدادی پیوند آویزان وجود دارند که حالتهای انرژی اضافه تولید میکنند، شکل (2-31). وقتی که حاملهای بار در این محل حرکت میکنند، تعدادی از آنها بطور تصادفی به دام میافتند و بعد دوباره آزاد میشوند که این فرآیند باعث ایجاد نویز فلیکر در جریان درین میگردد. اعتقاد بر این می باشد که چند ساز و کار دیگر نیز به علاوه در تولید نویز فلیکر موثرند[15]
- پیوندهای آویزان در مرز اکسید سیلیکن[3]
بر خلاف نویز حرارتی توان متوسط نویز فلیکر را نمیتوان به آسانی پیشگویی نمود. بسته به تمیزی مرز اکسید سیلیکان، نویز فیلکر مقادیر متفاوتی خواهد داشت و از یک فرآیند CMOS به فرایند دیگر آن تغییر میکند. نویز فلیکر را به صورت یک منبع ولتاژ سری با گیت مدل میکنند و تقریبا برابر می باشد با
K یک مقدار ثابت وابسته به فرآیند ساخت می باشد و در حدود (V2F) 10-25 میباشد. توجه گردد که پهنای باند 1Hz می باشد. برخلاف نویزهای دیگر، چگالی طیفی نویز فلیکر با فرکانس نسبت عکس دارد. به عنوان مثال، پدیدهی به دام اندازی و رهایش مربوط به پیوندهای آویزان در فرکانسهای کمتر بیشتر روی میدهد و به همین دلیل نویز فیلکر را نویز 1/f نیز مینامند. رفتار فرکانس پایین این نویز در شکل (2-32) نشان داده شده می باشد
- مشخصه نویز یک ترانزیستور
وابستگی معکوس معادلهی (2-29) بهL و W بیانگر آن می باشد که برای کاهش نویز، سطح ترانزیستور بایستی افزایش یابد. این در حالی می باشد که امروزه با پیشرفت تکنولوژی CMOS طول ترانزیستورها در حال کاهش می باشد. همچنین ادوات PMOS نیز نویز 1/fکمتری نسبت به NMOS دارند زیرا در ترانزیستورهای PMOS، حفرهها از طریق یک کانال مدفون حرکت میکنند که از مرز اکسید سیلیکان فاصله دارد [3].
