نویز  یا فلیکر[1] یکی دیگر از منابع مهم نویز در نوسان‌سازهای CMOS می­باشد که از آن با نام نویز لرزان ترانزیستورهای ماسفت نیز یاد می­گردد و به صورت یک منبع ولتاژ سری با گیت مدل می­گردد. طیف نویز  به صورت معکوس با فرکانس ارتباط دارد و این باعث می گردد تنها در فرکانس­های پایین و فرکانس­های حوالی حامل دارای مقدار قابل ملاحظه باشد.

منشا این نویز در ترانزیستور MOS را نیز می­توان بدین شکل تبیین داد ]3[: در محل اتصال اکسید گیت و زیربنای[2] سیلیکانی در ماسفت معمولاً تعدادی پیوند آویزان وجود دارند که حالت­های انرژی اضافه تولید می­کنند، شکل (2-31). وقتی که حامل­های بار در این محل حرکت می­کنند، تعدادی از آنها بطور تصادفی به دام می­افتند و بعد دوباره آزاد می­شوند که این فرآیند باعث ایجاد نویز فلیکر در جریان درین می­گردد. اعتقاد بر این می باشد که چند ساز و کار دیگر نیز به علاوه در تولید نویز فلیکر موثرند[15]

  • پیوندهای آویزان در مرز اکسید سیلیکن[3]

بر خلاف نویز حرارتی توان متوسط نویز فلیکر را نمی­توان به آسانی پیشگویی نمود. بسته به تمیزی مرز اکسید سیلیکان، نویز فیلکر مقادیر متفاوتی خواهد داشت و از یک فرآیند CMOS به فرایند دیگر آن تغییر می­کند. نویز فلیکر را به صورت یک منبع ولتاژ سری با گیت مدل می­کنند و تقریبا برابر می باشد با

  •                                                                                                                     

K یک مقدار ثابت وابسته به فرآیند ساخت می باشد و در حدود (V2F) 10-25 می­باشد. توجه گردد که پهنای باند 1Hz می باشد. برخلاف نویز­های دیگر، چگالی طیفی نویز فلیکر با فرکانس نسبت عکس دارد. به عنوان مثال، پدیده­ی به دام اندازی و رهایش مربوط به پیوندهای آویزان در فرکانس­های کمتر بیشتر روی می­دهد و به همین دلیل نویز فیلکر را نویز 1/f   نیز می­نامند. رفتار فرکانس پایین این نویز در شکل (2-32) نشان داده شده می باشد

  • مشخصه نویز یک ترانزیستور
این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه ارشد با موضوع :مایکرواستریپ

وابستگی معکوس معادله­ی (2-29) بهL  و W بیانگر آن می باشد که برای کاهش نویز، سطح ترانزیستور بایستی افزایش یابد. این در حالی می باشد که امروزه با پیشرفت تکنولوژی CMOS طول ترانزیستورها در حال کاهش می باشد. همچنین ادوات PMOS نیز نویز   1/fکمتری نسبت به NMOS دارند زیرا در ترانزیستورهای PMOS، حفره­ها از طریق یک کانال مدفون حرکت می­کنند که از مرز اکسید سیلیکان فاصله دارد [3].

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده