ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی یکی از امیدبخش ترین گزینه ها برای فناوری سیلیکونی به حساب می آید. این ترانزیستورها، با ابعاد کوچک و خصوصیات الکتریکی بسیار مناسب دارای تأخیر و توان مصرفی بسیار کمتر در مقایسه با فناوری ترانزیستورهای سیلیکونی بوده و به علاوه به خاطر ساختار مشابه با فناوری CMOS بسیاری از اصول طراحی و فناوریهای ساخت فناوری سیلیکونی را میتوانند مورد بهره گیری قرار دهند. شکل شماره 4-1 ساختار یک ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی را با چهار نانولوله کربنی نیمه رسانا به عنوان کانال ترانزیستور نشان میدهد. این نانولوله های کربنی بنا به تکنولوژی ساخت به کار گرفته شده بر روی سطح substrate رشد کرده و یا بر روی آن منتقل میگردند. [55]

نواحی از این نانولوله های کربنی که زیر گیت ترانزیستور قرار گرفته اند، از لحاظ بارالکتریکی خنثی بوده و رسانایی این نواحی توسط گیت ترانزیستور کنترل میشود. این در حالی می باشد که نواحی سورس و درین نانولوله های کربنی به شدت باردار می باشد. اتصالات و ارتباطات سورس، درین و گیت توسط پروسسهای تأثیر نگاری نوری مشخص میگردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   پایان نامه ارشد رشته برق تاثیر شارژ خودروهای الکتریکی ترکیبی بر ترانسفورماتورهای توزیع
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده