از آنجایی که ماسفت­ها مقاومت­هایی کنترل شده با ولتاژند، مقاومت کانال آن­ها نویز حرارتی

تولید می­کنند. اگر ترانزیستور در ناحیه­ی تریود باشد، جریان نویز حرارتی در درین ناشی از مقاومت کانال، براحتی از ارتباط­ی  بدست می­آید که در آن  مقاومت کانال می­باشد. اگر ترانزیستور در ناحیه­ی فعال باشد، نمی­توان کانال را همگن درنظر گرفت. پس کل نویز با انتگرال­گیری روی قسمت­های کوچک کانال بدست می­آید. این منبع نویز را می­توان با یک منبع جریان موازی با درین-سورس ترانزیستور مدل نمود. چگالی طیف توان این منبع نویز به صورت زیر تعریف می­گردد.

  •                   

که در آن  ترارسانایی کانال می باشد.  ضریبی می باشد که برای ترانزیستورهای تکنولوژی با طول کانال بلند برابر با  می باشد و برای ماسفت­های زیر میکرون با مقادیر بزرگتر جایگزین می­گردد[3] و [16]. همانطور که از ارتباط­ی (2-27) نیز نظاره می­گردد با کاهش ترارسانایی ترانزیستور می­توان اثر این نویز را کاهش داد. شکل (2-28) نمایش این نویز در ترانزیستور را نشان می­دهد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   ارتقاء وضوح تصویر رنگی از روی رشته ای از تصاویر وضوح پایین-دانلود پایان نامه
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده