جریان عبوری از لوله های موازی CNFET ، بستگی به خازن گیت به کانال آن دارد. لوله های موازی در CNFET دارای اثر پوششی متقابل در ناحیه گیت هستند و پس، بروی خازن کل گیت به کانال آن اثر میگذارند . مقدار اثر پوششی بین لوله های کربنی مجاور در CNFET ها با لوله های موازی،تابعی از فاصله ی بین آنهاست. فاصله بین لوله های مجاور با خازن گیت به کانال نسبت عکس دارد. پس هرچه فاصله ی بین آنها کمتر باشد، کاهش خازن کانال، که آن نیز باعث کاهش استحکام لوله های موازی میشود را منجر میشود. علاوه براین، با داشتن CNFET های با عرض ثابت، تغییرپذیری در فاصله بین لولهه ای کنارهم باعث تغییرپذیری در تراکم CNTنیز میشود؛ و همچنین تغییرپذیری در اثر پوششی که به دلیل تغییر پذیری در فاصله به وجود میآید، باعث تغییرپذیری بزرگی در جریان عبوری از CNFET ها میشود.

 4-6-2 نامرتبی در نانولوله ها

عدم وجود کنترل دقیق بروی موقعیتیابی CNT ها در هنگام ساخت CNFET ، باعث ایجاد نامنظمی در لوله ها میشود پیشرفتهای قابل ملاحظهای برای ساخت CNFET به صورت مرتب صورت گرفته می باشد و در حال حاضر کمتر از 0.5% نانو لوله های ساخته شده بر روی بستر تک کریستال الماس نامنظم هستند] لوله های نامنظم ممکن می باشد باعث ایجاد اتصال کوتاه بین خروجی و ریل تغزیه شده و یا موجب تولید تابع منطقی نادرستی گردند.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه ارشد رشته برق طراحی نوسان‌ساز Cross-Coupled LC

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده