در دو فصل قبل، آغاز ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) ،تاریخچه ،مزایا و محدودیت های آن ها را به گونه اجمال مورد مطالعه قرار دادیم. در این فصل به مطالعه ،طراحی و تحلیل CMOSOPAMP می پردازیم و با بهره گیری از HSPICE در تکنولوژی 50nm مشخصه های تقویت کننده را شبیه سازی می کنیم.سپس در فصل چهارم  ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیکون(SI-FET) را با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET) جایگزین می کنیم تا CNFET-OPAMP ایجاد گردد و با بهره گیری از مدل فشرده استانفورد برای ناحیه کانال درونی نانولوله های تک دیواره ای(SWNTs) در ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNFET) ،مشخصه های CNFET-OPAMP را شبیه سازی می کنیم و در فصل پنجم مقایسه ای بین مشخصه های CMOS-OPAMP و CNFET-OPAMP ارائه می دهیم.

تقویت کننده عملیاتی (op-amp) یک بلوک سازنده اصلی در طراحی مدار مجتمع آنالوگ می باشد.بلوک دیاگرام op-amp دو طبقه با بافر خروجی در شکل 3-1 نشان داده شده می باشد. طبقه اول op-amp یک تقویت کننده تفاضلی می باشد که بالتبع طبقه بهره مانند طبقه سورس مشترک و در پایان بافر خروجی قرار می گیرد. اگر op-amp برای راه اندازی بار خازنی به کار برده گردد( که در بسیاری از سوییچ های خازنی یا کاربردهای تبدیل داده ها به کار می رود) از بافر خروجی بهره گیری نمی گردد.اگر op-amp برای راه اندازی بار مقاومتی یا بار خازنی بزرگ یا ترکیبی از آن ها به کار رود از بافر خروجی بهره گیری می گردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه با موضوع استفاده از الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات (PSO)

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده