در این قسمت، برای انواع مختلف ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی تمرکز میکنیم. دو نوع اصلی CNFET که توسط محققین کشف شده می باشد، CNFET سد شاتکی  [32] و CNFET نوع [33] MOSFET میباشد. در شکل 4-2 )الف( ساختار قطعه و شکل5-2 (الف) خصوصیات هدایتی ترانزیستورهای SB1  را نشان میدهد و شکل 2-4 )ب( و شکل 2-5 )ب( خصوصیات هدایتی ترانزیستورهای MOSFET را نشان میدهد. در ترانزیستورهای مبتنی برنانو لوله کربنی نوع SB ، ولتاژ گیت، عرض سد شاتکی را همانطور که در  شکل 4-2 )الف( نظاره میشود، در سورس کنترل می ‌کند؛پس، وجود تونل در قسمت سورس کانال، جریان ON ترانزیستور را کنترل و این قطعات باعث هدایت دوقطبی در آن میشوند.

شکل 2-4) ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی الف) نوع SB ب( نوع MOSFET

 

شکل 5-2) ناحیه هدایت ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی الف( نوع SB ب( نوع MOSFET

شکل 2-5(ب) طرح کلی یک ترانزیستور- n مبتنی نانولوله های کربنی نوع MOSFET ، که در آن سورس و درین بصورت شمیایی توسط پتاسیم ناخالص شده اند را نشان میدهد و MOSFET نوع- p ناحیه سورس و درینش توسط چن [34] و  ، SbCI6(OA) +(C2H5)3O ناخالص شده می باشد . در ترانزیستورهای مبتنی نانولوله های کربنی نوع MOSFET هدایت کانال همانطور که در شکل 2-5(ب) نظاره میشود، توسط ولتاژ گیت کنترل میشود. ناخالص سازی ناحیه سورس ودرین در این نوع ترانزیستور مانع انتقال الکترونها و حفرهها میشود و پس، باعث خاصیت تک قطبی هدایت آن میشود.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه درباره فرکانس تراهرتز

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده