با افزایش فرکانس اثر اندوکتانس نشتی قابل توجه خواهد بود. پس نیاز می باشد تا اندوکتانس نشتی برای رنج فرکانسی محاسبه گردد. شار نشتی در فاصله هوایی بین سیم­پیچ فشارقوی و فشارضعیف متمرکز می­باشد. رلوکتانس نشتی طبق معادله (‏3‑6) شامل دو قسمت می­باشد؛ یک قسمت مربوط به هسته­مغناطیسی و قسمت دیگر مربوط به پنجره­هسته می­باشد[50].

 

با در نظر داشتن بزرگتر بودن پرمابیلیته مغناطیسی، معادله (‏3‑6) به ارتباط (‏3‑7) تبدیل خواهد گردید.

 

چگالی شار نشتی در سمت نزدیک به هسته و از سمت فشار ضعیف از صفر شروع شده و بصورت خطی افزایش یافته و در قطر خارجی سیم­پیچ فشارضعیف به بیشترین مقدار خود خواهد رسید. توزیع چگالی شار نشتی در راستای شعاعی بصورت ذوزنقه خواهد گردید که در شکل ‏3‑5 نشان داده شده می باشد، شار نشتی هر سیم­پیچ خواه فشارقوی خواه فشارضعیف تنها خودآن سیم­پیچ را در برمی­گیرد و هیچ شارپیوندی بین دو سیم­پیچ مستقر نخواهد گردید.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   پایان نامه در مورد جزیره سازی سیستمهای قدرت با حفظ معیارهای امنیت
دسته‌ها: دسته‌بندی نشده