شکل 6-2 نمونه ای از سیاق عملیات ساخت CNFET نوع MOSFET را نمایش میدهد. در اینجا در آغاز SiO2 به وسیله ی گرما بروی ویفر سیلیکون رشد می دهند )شکل 6-2 الف(، سپس توسط تأثیر نگاری نوری علامتهای تنظیم شده و از قبل تعیین شده بروی ناحیه نشان داده شده شکل – 6 )ب(، جایی که بعدها CNT بروی آن رشد داده میشود، حکاکی میشود. پس از آن پنجره هایی به عنوان مانع نور بروی ناحیه درین وسورس قرار داده میشود تا مانع ته نشین شدن کاتالیزور Fe ، Co و یا Pt در آن نواحی گردد) شکل 6-2ج(همانطور که در شکل 6-2 )د( دیده میشود کاتالیزور به شکل قطعات مایع یا لایه ای نازک از فیلم فلزی آن، بروی ناحیه مشخص شده در بستره ته نشین میشوند. سپس پنجره های زدنور بصورت شمیایی خورده میشوند) شکل 6-2 ه (و بعد ازآن SWCNT بروی ناحیه کاتالیز شده Si/SiO2 به روش CVD همانطور که در شکل 6-2 )و( مشخص می باشد، سنتز میشود. بعد ایجاد نانو لوله های کربنی، ناحیه اتصال سورس و درین توسط  روش لیتروگرافی نوری و یا پرتویی حکاکی میشود.

به دنبال بهره گیری از لیتروگرافی پرتوی، فیلمهای فلزی با ضخامت تقریبا 7 تا 30 نانومتر بروی این نواحی گذاشته میشود) شکل 6-2)پالادیوم 1 به عنوان ناحیه سورس و درین هم برای نوع- n [34] وهم نوع- p [35] ، بهره گیری میشود. بروی پشته گیت یک عایق K بزرگ HfO2,ZrO2 قرار دارد و فلز گیت بصورت ته نشست لایه ی اتمی 2  و تکنیک برش بروی آن ساخته میشود؛ تا هیچ روی هم افتادگی و اشتراکی بین آن وفلز سورس ودرین صورت نگیرد [36] .شکل 6-2)ح( این چگونگی ساخت را نشان میدهد. در طول این عملیات قسمتهایی از لوله های نانو که قرار می باشد ناخالص شوند، کاملا دست نخورده باقی میمانند. ناحیه سورس ودرین، بین پشته گیت و ناحیه اتصال فلز سورس  ودرین همانطور که در شکل 6-2)ط ( مشخص می باشد، برای ناخالص  سازی ترانزیستور نوع- n [34] ، در معرض بخار پتاسیم در خلاء و ترانزیستور نوع- p در معرض SbCI6(OA) +(C2H5)3O قرار میگیرند [37].

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   دانلود پایان نامه ارشد تاثیر شیارهای استاتور و روتور بر پارامترهای الکتریکی ماشین

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

دسته‌ها: دسته‌بندی نشده